Версия для слепых
Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01
Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01

Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01

Москва
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_000044240
Автор
Ахабаев Б.А.
Заглавие
Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01
Место издания
Москва
Год издания
1997
Объем
18 с.
Ответственность
Моск. гос. инж.-физ. ин-т
ББК
З852.24-016.22с34,0, З844.15-016.22с34,0

Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : : автореферат дис. .. кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01» ББК:З852.24-016.22с34,0, З844.15-016.22с34,0, автора Ахабаев Б.А. Документ был издан в 1997 году. Содержит 18 с.

Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: 97-8073А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0044708
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 05.13.05
$2: nsnr
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: З852.24-016.22с34,0
$2: rubbk
084
##
$a: З844.15-016.22с34,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Ахабаев, Бейбит Адиханович
245
##
$a: Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01
$c: Моск. гос. инж.-физ. ин-т
260
##
$a: Москва
$c: 1997
300
##
$a: 18 с.
650
#1
$a: Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
$2: nsnr
787
11
$w: 000168546
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 97-4/2822-5
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 97-4/2823-3
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000044000/rsl01000044240/rsl01000044240.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .