← Вернуться

Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах. автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01

О произведении

Автор:
Ответственность:
Моск. гос. инж.-физ. ин-т
Место издания:
Москва
Год издания:
Количество страниц:
18 с.
ББК:
З852.24-016.22с34,0
Источник:
Российская государственная библиотека (РГБ)
Язык:
Русский

Похожие