Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .
Версия для слепых
Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
«Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах» — Стрельчук А.М. — издание: 1992
Стрельчук Анатолий Маркович

Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах

Стрельчук А.М.
20 с.
Количество страниц
Год издания
Санкт-Петербург
Место издания

О произведении

Ответственность
Физ.-техн. ин-т
ББК
В379.271.21,03
Библиотека
Российская государственная библиотека (РГБ)