Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией,
перейдите по ссылке
.
Версия для слабовидящих
Войти
Найти
Коллекции
Новости
Электронные читальные залы
Информация для библиотек
Програмное обеспечение
Вопросы и ответы
Обратная связь
Форум
Наше приложение
Мы в соцсетях
Версия для слепых
«Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах» — Стрельчук А.М. — издание: 1992
Стрельчук Анатолий Маркович
Читать
Скачать
Скачать
pdf
Поделиться
Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
Стрельчук А.М.
Стрельчук А.М.
Читать
Скачать
Скачать
pdf
Поделиться
20
с.
Количество страниц
1992
Год издания
Санкт-Петербург
Место издания
О произведении
Ответственность
Физ.-техн. ин-т
ББК
В379.271.21,03
Библиотека
Российская государственная библиотека (РГБ)
Ближайшая библиотека с бумажным экземпляром издания
Адрес:
График работы:
Участник
перейти в библиотеку
x
Ссылка скопирована в буфер обмена
Вы так же можете поделиться напрямую в социальных сетях
×