← Вернуться

Моделирование электронных процессов в сверхскоростных биполярных гетероструктурных транзисторах. автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01

О произведении

Автор:
Ответственность:
Моск. технол. ун-т "Станкин"
Место издания:
Москва
Год издания:
Количество страниц:
15 с.
ББК:
З852.3-01,0
Источник:
Российская государственная библиотека (РГБ)
Язык:
Русский

Похожие