Версия для слепых
Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Самара, 1997

Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Самара, 1997

Библиографическое описание

Скопировать
Шалимова, Маргарита Борисовна. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Самарский гос. ун-т. — Самара, 1997. — 19 с..

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_000141519
Автор(ы)
Заглавие
Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Самара
Год издания
1997
Объем
19 с.
Ответственность
Самарский гос. ун-т
ББК
З843.310.633-1с,0
Язык
Русский

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
01459nam a2200289 i 4500
001
000141519
003
RuMoRGB
005
20071026120000.0
008
980517s1997 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 98-1017А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0141539
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: З843.310.633-1с,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Шалимова, Маргарита Борисовна
245
##
$a: Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Самарский гос. ун-т
260
##
$a: Самара
$c: 1997
300
##
$a: 19 с.
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 000179840
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 98-1/2011-8
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 98-1/2012-6
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000141000/rsl01000141519/rsl01000141519.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Шалимова М.Б.. Документ был опубликован в 1997 году. Место издания — Самара. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .