Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As
Технология получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Технология получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Санкт-Петербург, 1996
Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As
Технология получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Санкт-Петербург, 1996
Библиографическое описание
Скопировать
Жуков, Алексей Евгеньевич. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As : Технология получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. — Санкт-Петербург, 1996. — 158 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_000145032
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As : Технология получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
1996
Объем
158 с.
ББК
В379.271.5,03, з841.3,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
эпитаксия
Библиотека
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As : Технология получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Жуков А.Е.. Документ был опубликован в 1996 году. Место издания — Санкт-Петербург. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.