В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
LDR
01572nam a2200349 i 4500
008
970703s1996 ru |||| m |00 u rus d
017
##
$a: д2506-97
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0357125
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
100
1#
$a: Хамаев, Валентин Александрович
245
##
$a: Теория и технология процессов осаждения меди и золота периодическим током и их применение в микроэлектронике :
$b: диссертация ... доктора технических наук : 05.17.03
504
##
$a: Библиогр.: с. 309-322
650
#1
$a: Технология электрохимических процессов
653
##
$a: ток периодический
653
##
$a: микроэлектроника
787
11
$i: Автореферат
$w: 000121850
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 71 97-5/35
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000158000/rsl01000158528/rsl01000158528.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$b: 000121850
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Теория и технология процессов осаждения меди и золота периодическим током и их применение в микроэлектронике : диссертация . доктора технических наук : 05.17.03 » , автор — Хамаев В.А.. Документ был опубликован в 1996 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Теория и технология процессов осаждения меди и золота периодическим током и их применение в микроэлектронике : диссертация . доктора технических наук : 05.17.03 » в удобной системе просмотра документов.