Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Самара, 1997
Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Самара, 1997
Библиографическое описание
Скопировать
Шалимова, Маргарита Борисовна. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. — Самара, 1997. — 188 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_000179840
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Самара
Год издания
1997
Объем
188 с.
ББК
з843.310.633-1с,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01250nam a2200265 i 4500
001
000179840
003
RuMoRGB
005
20071029120000.0
008
980407s1997 ru |||| m |00 u rus d
017
##
$a: д11822-97
$b: RuMoRGB
$a: д11822-97
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0405630
$a: (RuMoRGB)DIS-0405630
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: з843.310.633-1с,0
$2: rubbk
$a: з843.310.633-1с,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Шалимова, Маргарита Борисовна
$a: Шалимова, Маргарита Борисовна
245
##
$a: Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$a: Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
260
##
$a: Самара
$c: 1997
$a: Самара
$c: 1997
300
##
$a: 188 с.
$b: ил.
$a: 188 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 174-188
$a: Библиогр.: с. 174-188
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 000141519
$i: Автореферат
$w: 000141519
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 61 97-1/990
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 61 97-1/990
$x: 39
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000141519
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000141519
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Шалимова М.Б.. Документ был опубликован в 1997 году. Место издания — Самара. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.