LDR
01093nam a2200241 i 4500
008
000306s1999 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 2921-03
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0233077
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: З844.13-060.14-64,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Попов, Александр Афанасьевич
245
##
$a: Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si: H и сплавов на его основе :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
650
#1
$a: Технология полупроводников и материалов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 000231349
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 03-2/236-X
$x: 90
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si: H и сплавов на его основе : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06 » , автор — Попов А.А.. Документ был опубликован в 1999 году. Место издания — Москва. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.