Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Санкт-Петербург
Место издания
2001
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_000343492
Каталог
Автор
Смирнов А.Н.
Заглавие
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2001
Объем
180 с.
ББК
В379.13с1,03, В379.24,03
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : : диссертация .. кандидата физико-математических наук : 01.04.07» ББК:В379.13с1,03, В379.24,03, автора Смирнов А.Н. Документ был издан в 2001 году. Содержит 180 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: д4768-7-02
$b: RuMoRGB
$a: д4768-7-02
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0463399
$a: (RuMoRGB)DIS-0463399
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.07
$2: nsnr
$a: 01.04.07
$2: nsnr
084
##
$a: В379.13с1,03
$2: rubbk
$a: В379.13с1,03
$2: rubbk
084
##
$a: В379.24,03
$2: rubbk
$a: В379.24,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Смирнов, Александр Николаевич
$a: Смирнов, Александр Николаевич
245
##
$a: Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$a: Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2001
$a: Санкт-Петербург
$c: 2001
300
##
$a: 180 с.
$a: 180 с.
504
##
$a: Библиогр.: с. 171-180
$a: Библиогр.: с. 171-180
650
#1
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 02-1/280-7
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 02-1/280-7
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000343000/rsl01000343492/rsl01000343492.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000343000/rsl01000343492/rsl01000343492.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dllocal
$a: dllocal