Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs)
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Санкт-Петербург, 1994
Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs)
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Санкт-Петербург, 1994
Библиографическое описание
Скопировать
Фокин, Георгий Анатольевич. Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. — Санкт-Петербург, 1994. — 16 с. : ил.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_000765566
Каталог
Автор
Заглавие
Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
1994
Объем
16 с.
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01304nam a2200241 i 4500
001
000765566
003
RuMoRGB
005
20080618120000.0
008
080618s1994 ru a||| a |00 u rus d
035
##
$a: (RuMoEDL)-94k43391
$a: (RuMoEDL)-94k43391
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
100
1#
$a: Фокин, Георгий Анатольевич
$a: Фокин, Георгий Анатольевич
245
##
$a: Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$a: Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 1994
$a: Санкт-Петербург
$c: 1994
300
##
$a: 16 с.
$b: ил
$a: 16 с.
$b: ил
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 000187589
$i: Диссертация
$w: 000187589
$i: Диссертация
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000765000/rsl01000765566/rsl01000765566.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000765000/rsl01000765566/rsl01000765566.pdf
$y: Читать