Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs)
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Фокин Г.А.. Документ был опубликован в 1994 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.