LDR
02643nas a2200385 i 4500
008
040402c19679999ru mr|p 0 c0rus|d
017
##
$a: ОЖ-713
$b: RuMoRGB
017
##
$a: ОЖ-714
$b: RuMoRGB
024
1#
$a: ПИ № ФС 77 - 71300
$2: Роскомнадзор
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
084
##
$a: В379.2я5
$2: rubbk
245
##
$a: Физика и техника полупроводников :
$b: журнал
$c: учредители и издатели: ФГБУН "Российская академия наук", ФГБУН "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН"
260
##
$a: Санкт-Петербург
$b: ФТИ им. А. Ф. Иоффе
$c: 1967-
500
##
$a: Учредители: 2008- РАН, ФТИ им. А. Ф. Иоффе ; 2016- РАН, Отделение физических наук РАН, ФТИ им. А. Ф. Иоффе ; 2018- ФГБУН "Российская академия наук", ФГБУН "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН"
500
##
$a: Изд-во: 1967-1996 Наука, Ленингр. отд-ние ; 1997- Наука ; 2016- ФГУП "Издательство "Наука" ; 2018- ФТИ им. А. Ф. Иоффе
510
##
$a: Российский индекс научного цитирования (РИНЦ)
550
##
$a: В надзаг.: 1967-1991 АН СССР ; 1992-2001 РАН ; 2002- РАН, Отд-ние общ. физики, ФТИ им. А. Ф. Иоффе
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Общий раздел -- Периодические издания
$2: rubbk
710
1#
$a: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург)
710
1#
$a: Российская академия наук
787
11
$w: 012739824
$i: Semiconductors = Полупроводники : journal
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$c: B03
$j: 41 10/47
$x: 90
852
##
$a: РГБ
$b: CPF
$c: A325
$j: ЦПФ2
$x: 14
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: B03
$j: 41 10/47
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D02N
$j: XX 570/38
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$j: 41 10/47
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$j: XX 570/38
$x: 90