← Вернуться

Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение)

О произведении

Автор:
Ответственность:
В. И. Фистуль
Место издания:
Москва
Издательство:
Физматлит
Год издания:
Количество страниц:
431 с.
Общее примечание:
Указ.
ББК:
В379.222.12,0
УДК:
539.2
Источник:
Российская государственная библиотека (РГБ)
Язык:
Русский

Похожие