Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев
Москва : Ин-т прикладной математики РАН, 2004
Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев
Москва : Ин-т прикладной математики РАН, 2004
В работе рассматриваются технологические режимы, при которых подложка располагается над расплавом и процессу эпитаксиального роста предшествует процесс растворения подложки.
Библиографическое описание
Скопировать
Колмычков, В. В.. Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев / В. В. Колмычков, О. С. Мажорова, Ю. П. Попов. — Москва : Ин-т прикладной математики РАН, 2004. — 35 с. : ил., табл. : 21 см — (Препринт / Ин-т прикладной математики им. М. В. Келдыша Рос. акад. наук).
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_002681866
Каталог
Автор
Заглавие
Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев
Место издания
Москва
Издательство
Год издания
2004
Объем
35 с.
Ответственность
В. В. Колмычков, О. С. Мажорова, Ю. П. Попов
ББК
З843.329.08-1с116,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
жидкофазная эпитаксия
Библиотека
LDR
01833cam a2200265 i 4500
001
002681866
005
20050906110449.0
008
050415s2004 ru 000 | rus
017
##
$a: 05-16913
$a: 05-16913
040
##
$a: RuMoRKP
$b: rus
$d: RuMoRGB
$e: rcr
$a: RuMoRKP
$b: rus
$d: RuMoRGB
$e: rcr
041
##
$a: rus
$a: rus
044
##
$a: ru
$a: ru
084
##
$a: З843.329.08-1с116,0
$a: З843.329.08-1с116,0
100
1#
$a: Колмычков, В. В.
$a: Колмычков, В. В.
245
##
$a: Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев
$c: В. В. Колмычков, О. С. Мажорова, Ю. П. Попов
$a: Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев
$c: В. В. Колмычков, О. С. Мажорова, Ю. П. Попов
260
##
$a: Москва
$b: Ин-т прикладной математики РАН
$c: 2004
$a: Москва
$b: Ин-т прикладной математики РАН
$c: 2004
300
##
$a: 35 с.
$b: ил., табл.
$c: 21 см
$a: 35 с.
$b: ил., табл.
$c: 21 см
490
##
$a: Препринт / Ин-т прикладной математики им. М. В. Келдыша Рос. акад. наук
$v: № 81 за 2004 г.
$a: Препринт / Ин-т прикладной математики им. М. В. Келдыша Рос. акад. наук
$v: № 81 за 2004 г.
504
##
$a: Библиогр.: с. 25-27
$a: Библиогр.: с. 25-27
520
##
$a: В работе рассматриваются технологические режимы, при которых подложка располагается над расплавом и процессу эпитаксиального роста предшествует процесс растворения подложки.
$a: В работе рассматриваются технологические режимы, при которых подложка располагается над расплавом и процессу эпитаксиального роста предшествует процесс растворения подложки.
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы и изделия -- Твердые растворы -- Получение -- Математическое моделирование
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы и изделия -- Твердые растворы -- Получение -- Математическое моделирование
653
##
$a: жидкофазная эпитаксия
$a: жидкофазная эпитаксия
700
1#
$a: Мажорова, Ольга Семеновна
$a: Мажорова, Ольга Семеновна
700
1#
$a: Попов, Юрий Петрович
$a: Попов, Юрий Петрович
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 3 05-7/1696
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$j: 3 05-7/1696
$x: 90