Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Москва
Место издания
2004
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_002740538
Каталог
Автор
Андреев А.Ю.
Заглавие
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Место издания
Москва
Год издания
2004
Объем
124 с.
ББК
В379.271.5,0, З86-531.8-06,0
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : диссертация .. кандидата технических наук : 05.27.06» ББК:В379.271.5,0, З86-531.8-06,0, автора Андреев А.Ю. Документ был издан в 2004 году. Содержит 124 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: д4965-05
$b: RuMoRGB
$a: д4965-05
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0624230
$a: (RuMoRGB)DIS-0624230
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,0
$2: rubbk
$a: В379.271.5,0
$2: rubbk
084
##
$a: З86-531.8-06,0
$2: rubbk
$a: З86-531.8-06,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Андреев, Андрей Юрьевич
$a: Андреев, Андрей Юрьевич
245
##
$a: Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
$a: Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
260
##
$a: Москва
$c: 2004
$a: Москва
$c: 2004
300
##
$a: 124 с.
$b: ил.
$a: 124 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с.118-121
$a: Библиогр.: с.118-121
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические свойства -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
$a: Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические свойства -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
650
#1
$a: Квантовая электроника -- Лазеры, лазерные диоды -- Полупроводниковые лазерные диоды -- Производство
$2: rubbk
$a: Квантовая электроника -- Лазеры, лазерные диоды -- Полупроводниковые лазерные диоды -- Производство
$2: rubbk
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 002769296
$i: Автореферат
$w: 002769296
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 05-5/759
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 05-5/759
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002740000/rsl01002740538/rsl01002740538.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002740000/rsl01002740538/rsl01002740538.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dllocal
$a: dllocal
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 002769296
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 002769296
$m: Диссертация
$n: Автореферат