Версия для слепых
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.21
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.21

Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.21

Москва
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_003461786
Автор
Петровский А.В.
Заглавие
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.21
Место издания
Москва
Год издания
2009
Объем
22 с.
Ответственность
Петровский Александр Владимирович; [Место защиты: Моск. физ.-техн. ин-т (гос. ун-т)]
ББК
В379.271.5,03
Ключевые слова
полупроводниковые гетероструктуры, лазеры полупроводниковые

Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм : : автореферат дис. .. кандидата физико-математических наук : 01.04.21» ББК:В379.271.5,03, автора Петровский А.В. Документ был издан в 2009 году. Содержит 22 с.

Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: 09-2378А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.21
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Петровский, Александр Владимирович
245
##
$a: Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.21
$c: Петровский Александр Владимирович; [Место защиты: Моск. физ.-техн. ин-т (гос. ун-т)]
260
##
$a: Москва
$c: 2009
300
##
$a: 22 с.
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
653
##
$a: полупроводниковые гетероструктуры
653
##
$a: лазеры полупроводниковые
787
11
$w: 004255432
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 9 09-1/2370
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003461000/rsl01003461786/rsl01003461786.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .