Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
Санкт-Петербург, 2013
Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
Санкт-Петербург, 2013
Библиографическое описание
Скопировать
Козловский, Эдуард Юрьевич. Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]. — Санкт-Петербург, 2013. — 18 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_005537919
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2013
Объем
18 с.
Ответственность
Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]
ББК
З852.39-01,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
полевые транзисторы
Библиотека
LDR
01787nam a2200289 i 4500
001
005537919
003
RuMoRGB
005
20140319143211.0
008
131122s2013 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 13-16971А
$b: RuMoRKP
$a: 13-16971А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: З852.39-01,0
$2: rubbk
$a: З852.39-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Козловский, Эдуард Юрьевич
$a: Козловский, Эдуард Юрьевич
245
##
$a: Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]
$a: Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2013
$a: Санкт-Петербург
$c: 2013
300
##
$a: 18 с.
$a: 18 с.
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые триоды (транзисторы) -- Исследование
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые триоды (транзисторы) -- Исследование
$2: rubbk
653
##
$a: полевые транзисторы
$a: полевые транзисторы
787
11
$w: 006744828
$i: Диссертация
$w: 006744828
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 13-4/2984
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 13-4/2984
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005537000/rsl01005537919/rsl01005537919.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005537000/rsl01005537919/rsl01005537919.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01 » , автор — Козловский Э.Ю.. Документ был опубликован в 2013 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.