LDR
01255nam a22002412i 4500
008
121029s1967 ru ||||| |||||||| ||rus d
017
##
$a: 68-3141
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoELAR)1946-68-862394
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: ELAR
$e: rcr
100
1#
$a: Попеначенко, В. И.
245
##
$a: Неразрушающий метод контроля надежности полупроводниковых диодов
$h: [Текст] :
$b: Специальность 298 - полупроводниковые приборы и их технология : Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук
$c: Киевский политехн. ин-т им. 50-летия Великой Октябрьской соц. революции
260
##
$a: Киев
$b: [б. и.]
$c: 1967
504
##
$a: Библиогр. в конце книги
787
11
$w: 010307197
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13S
$j: Др 156/760
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FBKHM
$c: HMK
$j: Др 156/761
$x: 93
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Неразрушающий метод контроля надежности полупроводниковых диодов : Специальность 298 - полупроводниковые приборы и их технология : Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук » , автор — Попеначенко В. И.. Документ был опубликован в 1967 году. Место издания — Киев. Издательство — б. и.. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.