LDR
01310nam a2200265 i 4500
008
081003s1990 ru a||| a |00 u rus d
017
##
$a: д1807-92
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 05.27.08
$2: nsnr
084
##
$a: З844.15-06,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Акуленок, Марина Викторовна
245
##
$a: Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.08
504
##
$a: Библиогр.: с. 107-117
506
##
$a: Для служебного пользования
650
#1
$a: Технология полупроводников и материалов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 000209274
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 92-0/107
$x: 40
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000209274
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.08 » , автор — Акуленок М.В.. Документ был опубликован в 1990 году. Место издания — Москва. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.