Версия для слепых
Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, InSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями
Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, InSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями

Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, InSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями

Москва
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_009406358
Автор
Пантелеев Валентин Васильевич
Заглавие
Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, InSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями
Место издания
Москва
Год издания
1978

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: д104-80
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.225,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Пантелеев, Валентин Васильевич
245
##
$a: Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, InSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.10
260
##
$a: Москва
$c: 1978
300
##
$a: 166 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 152-162
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 007706546
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: Дк 80-5/29
$x: 81
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 007706546
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .