LDR
01384nam a2200241 i 4500
008
200220s1990 ru ||| | rus d
017
##
$a: 90-6576А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: з844.13-067-1,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Бусько, Владимир Иосифович
245
##
$a: Разработка ресурсосберегающей технологии толстопленочных прецизионных резисторов :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Бусько Владимир Иосифович ; [место защиты: Московский химико-технологический институт им. Д. И. Менделеева]
506
##
$a: Для служ. пользования
650
#1
$a: Технология полупроводников и материалов электронной техники
$2: nsnr
720
1#
$a: Московский химико-технологический институт им. Д. И. Менделеева
852
##
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 90/942
$x: 92
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Разработка ресурсосберегающей технологии толстопленочных прецизионных резисторов : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06 » , автор — Бусько В.И.. Документ был опубликован в 1990 году. Место издания — Москва. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.