Применение метода электрожидкостной эпитаксии для выращивания варизонных слоев и диодных гетероструктур в системе InAs₁-хPх : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Аштарак, 1988
Применение метода электрожидкостной эпитаксии для выращивания варизонных слоев и диодных гетероструктур в системе InAs₁-хPх : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Аштарак, 1988
Библиографическое описание
Гамбарян, Карен Мартинович. Применение метода электрожидкостной эпитаксии для выращивания варизонных слоев и диодных гетероструктур в системе InAs₁-хPх : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гамбарян Карен Мартинович ; [Место защиты: Институт радиофизики и электроники АН Армянской ССР]. — Аштарак, 1988. — 19 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010421263
Автор
Заглавие
Применение метода электрожидкостной эпитаксии для выращивания варизонных слоев и диодных гетероструктур в системе InAs₁-хPх : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Аштарак
Год издания
1988
Объем
19 с.
Ответственность
Гамбарян Карен Мартинович ; [Место защиты: Институт радиофизики и электроники АН Армянской ССР]
ББК
В379.271.5,03, В379.251.4,03
Библиотека
LDR
01440nam a2200265 i 4500
001
010421263
003
RuMoRGB
005
20210126135006.0
008
200917s1988 ru 000 0 rus d
017
##
$a: 7020-90А
$b: RuMoRGB
$a: 7020-90А
$b: RuMoRGB
020
##
$c: 100 экз.
$c: 100 экз.
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
084
##
$a: В379.251.4,03
$2: rubbk
$a: В379.251.4,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Гамбарян, Карен Мартинович
$a: Гамбарян, Карен Мартинович
245
##
$a: Применение метода электрожидкостной эпитаксии для выращивания варизонных слоев и диодных гетероструктур в системе InAs₁-хPх :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Гамбарян Карен Мартинович ; [Место защиты: Институт радиофизики и электроники АН Армянской ССР]
$a: Применение метода электрожидкостной эпитаксии для выращивания варизонных слоев и диодных гетероструктур в системе InAs₁-хPх :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Гамбарян Карен Мартинович ; [Место защиты: Институт радиофизики и электроники АН Армянской ССР]
260
##
$a: Аштарак
$c: 1988
$a: Аштарак
$c: 1988
300
##
$a: 19 с.
$a: 19 с.
506
##
$a: Для служ. пользования
$a: Для служ. пользования
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
720
1#
$a: Институт радиофизики и электроники (Аштарак)
$a: Институт радиофизики и электроники (Аштарак)
852
##
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 90/1765
$x: 92
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 90/1765
$x: 92