Разработка и внедрение технологии изготовления кремниевых полевых транзисторов, линейных ИС и ИС памяти, базирующейся на ионной имплантации : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01
Новосибирск, 1988
Разработка и внедрение технологии изготовления кремниевых полевых транзисторов, линейных ИС и ИС памяти, базирующейся на ионной имплантации : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01
Новосибирск, 1988
Библиографическое описание
Гаштольд, Владимир Николаевич. Разработка и внедрение технологии изготовления кремниевых полевых транзисторов, линейных ИС и ИС памяти, базирующейся на ионной имплантации : [автореферат] дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Гаштольд Владимир Николаевич ; [Место защиты: Новосибирский электротехнический институт]. — Новосибирск, 1988. — 24 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010421269
Автор
Заглавие
Разработка и внедрение технологии изготовления кремниевых полевых транзисторов, линейных ИС и ИС памяти, базирующейся на ионной имплантации : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Новосибирск
Год издания
1988
Объем
24 с.
Ответственность
Гаштольд Владимир Николаевич ; [Место защиты: Новосибирский электротехнический институт]
ББК
З852.39-06,0, З844.15-06,0
Общее примечание
На обл. в подзаг.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук в форме научного доклада
Еще
Библиотека
LDR
01660nam a2200265 i 4500
001
010421269
003
RuMoRGB
005
20210125135336.0
008
200917s1988 ru 000 0 rus d
017
##
$a: 7024-90А
$b: RuMoRGB
$a: 7024-90А
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: З852.39-06,0
$2: rubbk
$a: З852.39-06,0
$2: rubbk
084
##
$a: З844.15-06,0
$2: rubbk
$a: З844.15-06,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Гаштольд, Владимир Николаевич
$a: Гаштольд, Владимир Николаевич
245
##
$a: Разработка и внедрение технологии изготовления кремниевых полевых транзисторов, линейных ИС и ИС памяти, базирующейся на ионной имплантации :
$b: [автореферат] дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Гаштольд Владимир Николаевич ; [Место защиты: Новосибирский электротехнический институт]
$a: Разработка и внедрение технологии изготовления кремниевых полевых транзисторов, линейных ИС и ИС памяти, базирующейся на ионной имплантации :
$b: [автореферат] дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Гаштольд Владимир Николаевич ; [Место защиты: Новосибирский электротехнический институт]
260
##
$a: Новосибирск
$c: 1988
$a: Новосибирск
$c: 1988
300
##
$a: 24 с.
$a: 24 с.
500
##
$a: На обл. в подзаг.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук в форме научного доклада
$a: На обл. в подзаг.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук в форме научного доклада
506
##
$a: Для служ. пользования
$a: Для служ. пользования
650
#1
$a: Твердотельная электроника и микроэлектроника
$2: nsnr
$a: Твердотельная электроника и микроэлектроника
$2: nsnr
710
1#
$a: Новосибирский электротехнический институт
$a: Новосибирский электротехнический институт
852
##
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 90/1766
$x: 92
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 90/1766
$x: 92