Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов : автореферат дис. доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника
Москва, 1991
Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов : автореферат дис. доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника
Москва, 1991
Библиографическое описание
Скопировать
Черняев, Александр Владимирович. Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов : автореферат дис. ... доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника / Черняев Александр Владимирович ; Государственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы, Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского. — Москва, 1991. — 50 с. : табл..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010620994
Автор
Заглавие
Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов : автореферат дис. доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника
Место издания
Москва
Год издания
1991
Объем
50 с.
Ответственность
Черняев Александр Владимирович ; Государственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы, Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского
ББК
З844.152-060.14,0, З843.324-1с3,0
Общее примечание
На правах рукописи
Еще
Библиотека
«Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов : автореферат дис. доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника» ожидает оцифровки и размещения на портале Национальной электронной библиотеки.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
LDR
03116nam a2200301 i 4500
001
010620994
003
RuMoRGB
005
20220405151126.0
008
210326s1991 ru 000 | rus d
017
##
$a: 7392-95
$b: RuMoRGB
$a: 7392-95
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
084
##
$a: З844.152-060.14,0
$2: rubbk
$a: З844.152-060.14,0
$2: rubbk
084
##
$a: З843.324-1с3,0
$2: rubbk
$a: З843.324-1с3,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Черняев, Александр Владимирович
$a: Черняев, Александр Владимирович
245
##
$a: Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника
$c: Черняев Александр Владимирович ; Государственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы, Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского
$a: Физико-технологические основы формирования полупроводниковых структур быстродействующих микроэлектронных устройств методами имплантации молекулярных ионов :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук: специальность: 05.12.13 Устройства радиотехники и средств связи, 05.27.01 - Твердотельная электроника и микроэлектроника
$c: Черняев Александр Владимирович ; Государственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы, Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского
260
##
$a: Москва
$c: 1991
$a: Москва
$c: 1991
300
##
$a: 50 с.
$b: табл.
$a: 50 с.
$b: табл.
500
##
$a: На правах рукописи
$a: На правах рукописи
506
##
$a: Для служ. пользования
$a: Для служ. пользования
650
#1
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Интегральные схемы -- Большие и сверхбольшие интегральные схемы -- Технология производства -- Электрическая и электронная обработка
$2: rubbk
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Интегральные схемы -- Большие и сверхбольшие интегральные схемы -- Технология производства -- Электрическая и электронная обработка
$2: rubbk
650
#1
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Общая радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы и изделия -- Алмазоподобные полупроводниковые материалы -- Соединения типа A3B5 -- Арсениды -- Методы исследований -- Физические методы
$2: rubbk
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Общая радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы и изделия -- Алмазоподобные полупроводниковые материалы -- Соединения типа A3B5 -- Арсениды -- Методы исследований -- Физические методы
$2: rubbk
710
1#
$a: Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского
$a: Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского
852
1#
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 95/944
$x: 92
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 95/944
$x: 92
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010620000/rsl01010620994/rsl01010620994.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010620000/rsl01010620994/rsl01010620994.pdf
$y: Читать