Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Санкт-Петербург, 2010
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Санкт-Петербург, 2010
Библиографическое описание
Скопировать
Матвеев Б. А. Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, специальность 01.04.10 <Физика полупроводников> / Матвеев Борис Анатольевич; [Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН]. — Санкт-Петербург 2010. — 35 с. ил.; 21.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_1800579
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2010
Объем
35 с.
Ответственность
УДК
537
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01926nam0 2200373 450
001
RU\NLR\bibl\1800579
005
20110826150426.0
010
##
$9: 100
$9: 100
020
##
$a: RU
$b: 10-835
$9: Летопись авторефератов диссертаций
$a: RU
$b: 10-835
$9: Летопись авторефератов диссертаций
021
##
$a: RU
$b: 2010-27364а
$9: 1095аа
$a: RU
$b: 2010-27364а
$9: 1095аа
100
##
$a: 20110727d2010 u u0rusy0150 ca
$a: 20110727d2010 u u0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
$a: rus
102
##
$a: RU
$a: RU
105
##
$a: a dm |||||
$a: a dm |||||
135
##
$a: crgn 008aaaba
$a: crgn 008aaaba
200
1#
$a: Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе
$e: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e: специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
$f: Матвеев Борис Анатольевич
$g: [Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН]
$a: Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе
$e: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e: специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
$f: Матвеев Борис Анатольевич
$g: [Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН]
210
##
$a: Санкт-Петербург
$d: 2010
$a: Санкт-Петербург
$d: 2010
215
##
$a: 35 с.
$c: ил.
$d: 21
$a: 35 с.
$c: ил.
$d: 21
320
##
$a: Библиогр.: с. 29-34 (84 назв.)
$a: Библиогр.: с. 29-34 (84 назв.)
325
##
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
675
##
$a: 537
$v: 3
$z: rus
$a: 537
$v: 3
$z: rus
686
##
$a: 29.19
$2: rugasnti
$a: 29.19
$2: rugasnti
686
##
$a: 22.33
$2: rubbk
$a: 22.33
$2: rubbk
686
##
$a: 01.04.10
$2: oksvnk
$a: 01.04.10
$2: oksvnk
700
#1
$a: Матвеев
$b: Б. А.
$g: Борис Анатольевич
$4: 070
$a: Матвеев
$b: Б. А.
$g: Борис Анатольевич
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: RKP
$c: 20110727
$g: PSBO
$a: RU
$b: RKP
$c: 20110727
$g: PSBO
801
#1
$a: RU
$b: RKP
$c: 20110727
$a: RU
$b: RKP
$c: 20110727
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20110818
$g: rcr
$a: RU
$b: NLR
$c: 20110818
$g: rcr
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000274786/view
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000274786/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000274786/cover
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000274786/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000274786/text
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000274786/text
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников> » , автор — Матвеев Борис Анатольевич. Документ был опубликован в 2010 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская национальная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 191069, Россия, Санкт-Петербург, ул. Садовая, д. 18. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников> » в удобной системе просмотра документов.