Версия для слепых
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах

Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах

Новосибирск
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_1843037
Каталог
Автор
В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов и др.
Заглавие
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
Место издания
Новосибирск
Издательство
Изд-во Сибирского отд-ния Российской акад. наук
Год издания
2011
Объем
157 с.
Ответственность
Гриценко Владимир Алексеевич
Асеев Александр Леонидович
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова
Серия
Интеграционные проекты СО РАН
Общее примечание
Авт. указаны на обороте тит.л.

MARC-запись (RUSMARC)

010
##
$a: 978-5-7692-1183-6
$9: 400
021
##
$a: RU
$b: 2011-90074
$9: 6445
035
##
$a: (nilc)RSL-KNO-005080951
100
##
$a: 20111121d2011 u y0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
102
##
$a: RU
105
##
$a: a |||||||||
200
1#
$a: Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
$d: Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices
$f: [В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов и др.]
$g: отв. ред. А. Л. Асеев, В. А. Гриценко
$g: Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова [и др.]
$z: eng
210
##
$a: Новосибирск
$c: Изд-во Сибирского отд-ния Российской акад. наук
$d: 2011
215
##
$a: 157 с.
$c: ил., табл.
$d: 25
225
1#
$a: Интеграционные проекты СО РАН
$d: SB Ras Integrated Projects
$f: рекол.: акад. В.М. Фомин (гл. ред.) [и др.]
$v: вып. 31
300
##
$a: Авт. указаны на обороте тит.л.
300
##
$a: В надзаг. также: Ин-т неорг. химии им. А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В.С. Соболева
320
##
$a: Библиогр. в конце гл.
510
##
$a: Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices
$z: eng
606
1#
$a: Флэш-память
$2: nlr_sh2
$3: RU\NLR\auth\661510116
606
1#
$a: Запоминающие устройства
$x: Материалы
$2: nlr_sh2
$3: RU\NLR\auth\66433468
606
##
$a: Диэлектрики
$x: Применение в микроэлектронике
$2: nlr_sh2
$3: RU\NLR\auth\661378659
686
##
$a: З843.41,0
$2: rubbk
689
##
$a: З973.2-045.2
701
#1
$a: Гриценко
$b: В. А.
$c: д-р физ. мат. наук, физика полупроводников
$g: Владимир Алексеевич
$3: RU\NLR\auth\77118126
$4: 070
701
#1
$a: Елисеев
$b: А. П.
$4: 070
701
#1
$a: Иванов
$b: М. В.
$c: физик
$3: RU\NLR\AUTH\77118188
$4: 070
702
#1
$a: Асеев
$b: А. Л.
$f: 1946-
$g: Александр Леонидович
$3: RU\NLR\auth\77118203
$4: 340
712
#1
$a: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова
$c: Новосибирск
$3: RU\NLR\AUTH\889960522
$4: 570
801
##
$a: RU
$b: RuMoRKP
$c: 20111121
$g: rcr
801
#1
$a: RU
$b: РГБ
$c: 20111121
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20111205
$g: rcr
983
##
$a: РГ ЛЕЮ
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .