Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Новосибирск
Место издания
2011
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_1893603
Каталог
Автор
Быков Алексей Александрович
Заглавие
Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Место издания
Новосибирск
Год издания
2011
Объем
36 с.
УДК
537
Язык
Русский
Еще
Библиотека
010
##
$9: 100
$9: 100
020
##
$a: RU
$b: 10-20666
$9: Летопись авторефератов диссертаций
$a: RU
$b: 10-20666
$9: Летопись авторефератов диссертаций
021
##
$a: RU
$b: 2011-17814а
$9: 713аа
$a: RU
$b: 2011-17814а
$9: 713аа
100
##
$a: 20111129d2011 u u0rusy0150 ca
$a: 20111129d2011 u u0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
$a: rus
102
##
$a: RU
$a: RU
105
##
$a: a dm |||||
$a: a dm |||||
200
1#
$a: Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения
$e: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e: специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
$f: Быков Алексей Александрович
$g: [Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]
$a: Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения
$e: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e: специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
$f: Быков Алексей Александрович
$g: [Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]
210
##
$a: Новосибирск
$d: 2011
$a: Новосибирск
$d: 2011
215
##
$a: 36 с.
$c: ил.
$d: 21
$a: 36 с.
$c: ил.
$d: 21
320
##
$a: Библиогр.: с. 31-36 (20 назв.)
$a: Библиогр.: с. 31-36 (20 назв.)
675
##
$a: 537
$v: 3
$z: rus
$a: 537
$v: 3
$z: rus
686
##
$a: 29.19
$2: rugasnti
$a: 29.19
$2: rugasnti
686
##
$a: 22.33
$2: rubbk
$a: 22.33
$2: rubbk
686
##
$a: 01.04.10
$2: oksvnk
$a: 01.04.10
$2: oksvnk
700
#1
$a: Быков
$b: А. А.
$c: д-р физ.-мат. наук, микроэлектроника
$g: Алексей Александрович
$3: RU\NLR\AUTH\770133812
$4: 070
$a: Быков
$b: А. А.
$c: д-р физ.-мат. наук, микроэлектроника
$g: Алексей Александрович
$3: RU\NLR\AUTH\770133812
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: RKP
$c: 20111129
$g: PSBO
$a: RU
$b: RKP
$c: 20111129
$g: PSBO
801
#1
$a: RU
$b: RKP
$c: 20111129
$a: RU
$b: RKP
$c: 20111129
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20120416
$g: rcr
$a: RU
$b: NLR
$c: 20120416
$g: rcr
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000311156/view
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000311156/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000311156/cover
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000311156/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000311156/text
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000311156/text
901
1#
$a: Авторефераты
$a: Авторефераты
901
##
$a: bd000311156
$b: Текст. Автореферат диcсертации
$e: Авторефераты
$d: 20130125104331
$x: ARD11
$a: bd000311156
$b: Текст. Автореферат диcсертации
$e: Авторефераты
$d: 20130125104331
$x: ARD11
983
##
$a: М.Е.
$a: М.Е.