Версия для слепых
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двусторонним дельта-легированием автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.- м. н. специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двусторонним дельта-легированием автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.- м. н. специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двусторонним дельта-легированием автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.- м. н. специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Москва
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_1962298
Автор
Климов Евгений Александрович
Заглавие
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двусторонним дельта-легированием автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.- м. н. специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Место издания
Москва
Год издания
2012
Объем
18 с.
УДК
621.38
Язык
Русский

MARC-запись (RUSMARC)

010
##
$9: 100
020
##
$a: RU
$b: 20-10584
$9: Летопись авторефератов диссертаций
021
##
$a: RU
$b: 2012-4486а
$9: 180аа
021
##
$a: RU
$b: 2012-5356а
$9: 215аа
100
##
$a: 20120615d2012 u u0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
102
##
$a: RU
105
##
$a: a dm |||||
135
##
$a: cocn 300apabp
200
1#
$a: Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двусторонним дельта-легированием
$e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.- м. н.
$e: специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
$f: Климов Евгений Александрович
$g: [Ин-т сверхвысокочастот. полупровдниковой электроники РАН]
$g: Место защиты: Моск. гос. техн. ун-т радиотехники, электроники и автоматики
210
##
$a: Москва
$d: 2012
215
##
$a: 18 с.
$c: ил.
$d: 21
320
##
$a: Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.)
325
##
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ http://vivaldi.nlr.ru/bd000320941/view
675
##
$a: 621.38
$v: 3
$z: rus
686
##
$a: 47
$2: rugasnti
686
##
$a: 32.85
$2: rubbk
686
##
$a: 05.27.01
$2: oksvnk
700
#1
$a: Климов
$b: Е. А.
$g: Евгений Александрович
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: RKP
$c: 20120615
$g: PSBO
801
#1
$a: RU
$b: RKP
$c: 20120615
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20121031
$g: rcr
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000320941/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000320941/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000320941/text
901
##
$a: bd000320941
$d: 20131026141701
$x: ARD11
901
1#
$a: Авторефераты
983
##
$a: М.Е.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .