Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. Спец. 01.04.10
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. Спец. 01.04.10
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. Спец. 01.04.10
1# $a: Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) $e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. $e: Спец. 01.04.10 $f: Рос. акад. наук, Физико-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
210
## $a: СПб. $d: 2000
215
## $a: 40 с. $c: ил. $d: 21
320
## $a: Библиогр.: с. 34-40 (80 назв.)
325
## $a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
686
## $a: 01.04.10 $2: oksvnk
700
#1 $a: Иванов $b: С. В. $c: д-р физ.-мат. наук, физика полупроводников $g: Сергей Викторович $3: RU\NLR\auth\7747382 $4: 070