Версия для слепых
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06

Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06

23 с.
Количество страниц
Год издания
Москва
Место издания

О произведении

ББК
47, 32.84, 05.27.06
УДК
621.373
Язык
Русский
Библиотека
Российская национальная библиотека (РНБ)

Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06» ББК:47, 32.84, 05.27.06, автора Андреев А. Ю. Документ был издан в 2004 году. Содержит 23 с. Язык: «Русский».

Выражаем благодарность библиотеке «Российская национальная библиотека (РНБ)» за предоставленный материал.

Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .