Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Москва
Место издания
2004
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_817451
Каталог
Автор
Андреев Андрей Юрьевич
Заглавие
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук спец. 05.27.06
Место издания
Москва
Год издания
2004
Объем
23 с.
УДК
621.373
Язык
Русский
Еще
Библиотека
010
##
$9: 100
$9: 100
020
##
$a: RU
$b: 04-24048
$9: Летопись авторефератов диссертаций
$a: RU
$b: 04-24048
$9: Летопись авторефератов диссертаций
021
##
$a: RU
$b: 2004-22621а
$9: 905а
$a: RU
$b: 2004-22621а
$9: 905а
100
##
$a: 20050208d2004 u u0rusy0150 ca
$a: 20050208d2004 u u0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
$a: rus
102
##
$a: RU
$a: RU
105
##
$a: a dm |||||
$a: a dm |||||
135
##
$a: crgn 008aaaba
$a: crgn 008aaaba
200
1#
$a: Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
$e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук
$e: спец. 05.27.06
$f: Андреев Андрей Юрьевич
$g: [Моск. гос. акад. тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова]
$a: Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
$e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук
$e: спец. 05.27.06
$f: Андреев Андрей Юрьевич
$g: [Моск. гос. акад. тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова]
210
##
$a: М.
$d: 2004
$a: М.
$d: 2004
215
##
$a: 23 с.
$c: ил.
$d: 21
$a: 23 с.
$c: ил.
$d: 21
320
##
$a: Библиогр.: с. 22-23 (12 назв.)
$a: Библиогр.: с. 22-23 (12 назв.)
325
##
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
675
##
$a: 621.373
$v: 3
$z: rus
$a: 621.373
$v: 3
$z: rus
686
##
$a: 47
$2: rugasnti
$a: 47
$2: rugasnti
686
##
$a: 32.84
$2: rubbk
$a: 32.84
$2: rubbk
686
##
$a: 05.27.06
$2: oksvnk
$a: 05.27.06
$2: oksvnk
700
#1
$a: Андреев
$b: А. Ю.
$c: канд. техн. наук, производство полупроводников
$g: Андрей Юрьевич
$3: RU\NLR\auth\7782926
$4: 070
$a: Андреев
$b: А. Ю.
$c: канд. техн. наук, производство полупроводников
$g: Андрей Юрьевич
$3: RU\NLR\auth\7782926
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: RKP
$c: 20050208
$g: PSBO
$a: RU
$b: RKP
$c: 20050208
$g: PSBO
801
#1
$a: RU
$b: RKP
$c: 20050208
$a: RU
$b: RKP
$c: 20050208
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20091126
$g: rcr
$a: RU
$b: NLR
$c: 20091126
$g: rcr
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000020855/view
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000020855/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000020855/cover
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000020855/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000020855/text
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000020855/text
901
##
$a: bd000020855
$d: 20100425151400
$x: ARD11
$a: bd000020855
$d: 20100425151400
$x: ARD11
901
1#
$a: Авторефераты
$b: 05.00.00 Технические науки
$b: 05.27.00 Электроника
$b: 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$a: Авторефераты
$b: 05.00.00 Технические науки
$b: 05.27.00 Электроника
$b: 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
983
##
$a: рг - л.к.
$a: рг - л.к.