Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
1# $a: Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений $e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. $e: спец. 01.04.07 $f: Артемов Владимир Викторович $g: [Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН]
210
## $a: Москва $d: 2005
215
## $a: 18 с. $c: ил. $d: 21
320
## $a: Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.)
325
## $a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
686
## $a: 01.04.07 $2: oksvnk
700
#1 $a: Артемов $b: В. В. $g: Владимир Викторович $4: 070
801
## $a: RU $b: NLR $c: 20051107 $g: rcr
801
#1 $a: RU $b: NLR $c: 20051107
856
## $u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/view
856
#1 $u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/cover
856
#1 $u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/text
901
## $a: bd000015045 $d: 20100424103300 $x: ARD11
901
1# $a: Авторефераты $b: 01.00.00 Физико-математические науки $b: 01.04.00 Физика $b: 01.04.07 Физика конденсированного состояния
983
## $a: рг - л.к.
Пожалуйста, авторизуйтесь
Вы можете добавить книгу в избранное после того, как авторизуетесь на портале. Если у вас еще нет учетной записи, то зарегистрируйтесь.
Ссылка скопирована в буфер обмена
Вы так же можете поделиться напрямую в социальных сетях