Комплексная характеристика кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Комплексная характеристика кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Комплексная характеристика кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
1# $a: Комплексная характеристика кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений $e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. $e: спец. 01.04.07 $f: Артемов Владимир Викторович $g: [Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН]
210
## $a: М. $d: 2005
215
## $a: 18 с. $c: ил. $d: 21
320
## $a: Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.)
325
## $a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
675
## $a: 539.1.074.3 $v: 3 $z: rus
686
## $a: 29.15 $2: rugasnti
686
## $a: 22.36/38 $2: rubbk
686
## $a: 01.04.07 $2: oksvnk
700
#1 $a: Артемов $b: В. В. $g: Владимир Викторович $4: 070