Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук (01.04.11)
Свердловск, 1985
Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук (01.04.11)
Свердловск, 1985
Библиографическое описание
Скопировать
Виглин Н.А. Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук, (01.04.11). — Свердловск 1985. — 18 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000200_000018_rc_710068
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук (01.04.11)
Место издания
Свердловск
Год издания
1985
Объем
18 с.
Ответственность
Язык
Русский
Еще
Общее примечание
В надзаг.: Урал. гос. ун-т им. А.М. Горького
Еще
Библиотека
LDR
00868nam0 22002051i 450
001
rc\710068
005
20031121170759.3
100
##
$a: 20031121d1985 u |0rusy0150 ca
$a: 20031121d1985 u |0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
$a: rus
102
##
$a: RU
$a: RU
105
##
$a: y |||||||||
$a: y |||||||||
200
1#
$a: Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках
$e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e: (01.04.11)
$a: Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках
$e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e: (01.04.11)
210
##
$a: Свердловск
$d: 1985
$a: Свердловск
$d: 1985
215
##
$a: 18 с.
$a: 18 с.
300
##
$a: В надзаг.: Урал. гос. ун-т им. А.М. Горького
$a: В надзаг.: Урал. гос. ун-т им. А.М. Горького
320
##
$a: Библиогр.: с. 16-18 (13 назв.)
$a: Библиогр.: с. 16-18 (13 назв.)
700
#1
$a: Виглин
$b: Н.А.
$g: Николай Альфредович
$a: Виглин
$b: Н.А.
$g: Николай Альфредович
801
##
$a: RU
$b: NLR
$g: psbo
$a: RU
$b: NLR
$g: psbo
801
#1
$a: RU
$b: ELAR
$2: rusmarc
$a: RU
$b: ELAR
$2: rusmarc
899
##
$a: NLR
$j: 86-4/20856
$a: NLR
$j: 86-4/20856
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук (01.04.11) » , автор — Виглин Николай Альфредович. Документ был опубликован в 1985 году. Место издания — Свердловск. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская национальная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 191069, Россия, Санкт-Петербург, ул. Садовая, д. 18.