СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

В кремниевой подложке формируют p-области, противоканальные области и диэлектрической изоляции, осаждают первый слой поликремния, формируют первый слой оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, производят вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния и осаждение второго слоя поликремния. После осаждения второго слоя поликремния на него осаждают слой фосфорносиликатного стекла, оплавляют слой этого стекла, плазмохимически стравливают фосфорносиликатное стекло до планарности во вторых слоях поликремния, плазмохимически стравливают второй слой поликремния до планарности с первым слоем поликремния и плазмохимически стравливают первый и второй слои оксида кремния до планарности с вторым слоем поликремния, формируют области истока, стока, электроды к ним и металлизацию. 8 ил.