СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников. Целью изобретения является одновременное определение средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок и отношения электронной и дырочной фотопроводимостей полупроводников с биполярной фотопроводимостью.
Образец облучают опорным и сигнальным модулированным по фазе с частотой ω пучком света. При этом на поверхности образца формируется интерференционная картина. Регистрируют индуцированный в образце ток на частоте w в зависимости от пространственной частоты интерференции к. Частоту w выбирают в пределах: 0,1 мин (τ-e1 или τ -n1) > ω > 10τdi, где τe, τn средние времена жизни электронов и дырок соответственно; τdi время диэлектрической релаксации освещенного полупроводника. Средние диффузионные длины электронов и дырок, а также отношение электронной и дырочной фотопроводимостей определяют расчетным путем. 2 ил.
Описание документа
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ», заявителя Петров М.П., Степанов С.И., Трофимов Г.С., Соколов И.А. Содержит 5 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.