Версия для слепых
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

СССР
Место издания
Год издания

Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом.

Уменьшается селективность травления и упрощается сам процесс травления.

Читать аннотацию полностью Скрыть аннотацию

Описание документа

Код документа в НЭБ
000224_000128_0001800856_19950619_A1_SU
Автор
Захаров А.А., Нестерова М.Г., Пащенко Е.Б., Шубин А.Е.
Заглавие
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Место издания
СССР
Год издания
1995
Объем
9
Язык
Русский
МПК
C30B 25/02, C30B 29/40
Заявитель
Научно-исследовательский институт "Пульсар"
Код вида документа
Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР (SU)

Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ», заявителя Захаров А.А., Нестерова М.Г., Пащенко Е.Б., Шубин А.Е. Содержит 9 ст. Язык: «Русский».

Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.

Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .