Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом.
Уменьшается селективность травления и упрощается сам процесс травления.
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ», заявителя Захаров А.А., Нестерова М.Г., Пащенко Е.Б., Шубин А.Е. Содержит 9 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.