Использование: технология микроэлектроники, в частности получение тонких металлических пленок. Сущность изобретения: в способе формирования планаризованных тонких пленок модулируют частотой не более 4 МГц по амплитуде величину ВЧ-смещения на подложке в процессе осаждения тонкой металлической пленки распылением в разряженной среде инертного газа.
1 ил.
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАНАРИЗОВАННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК», заявителя Достанко А.П., Попов С.В., Баранов В.В., Попов Ю.П., Казачонок Г.М. Содержит 5 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.