СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны.
Способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок SiN4 или SiO2 на металлические поверхности включают синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи (или на) нагретой ИК-излучением до 80 - 200oC обрабатываемой поверхности, причем поток ИК-излучения направлен навстречу плазменному потоку. Для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси. 1 з.п. ф-лы.
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ», заявителя Редькин С.В., Аристов В.В. , патентообладателя «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН ». Содержит 4 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.