Версия для слепых
СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ
СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ

СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ

РОССИЯ
Место издания
Год издания

СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны.

Способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок SiN4 или SiO2 на металлические поверхности включают синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи (или на) нагретой ИК-излучением до 80 - 200oC обрабатываемой поверхности, причем поток ИК-излучения направлен навстречу плазменному потоку. Для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси. 1 з.п. ф-лы.

Читать аннотацию полностью Скрыть аннотацию

Описание документа

Код документа в НЭБ
000224_000128_0002117070_19980810_C1_RU
Автор
Редькин С.В., Аристов В.В.
Заглавие
СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ
Место издания
РОССИЯ
Год издания
1998
Объем
4
Язык
Русский
Патентообладатель
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
МПК
C23C 14/06, C23C 14/44
Заявитель
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Код вида документа
Патент на изобретение

Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ», заявителя Редькин С.В., Аристов В.В. , патентообладателя «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН ». Содержит 4 ст. Язык: «Русский».

Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.

Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .