Версия для слепых
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА III-НИТРИДА НА ЧУЖЕРОДНОЙ 

ПОДЛОЖКЕ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА III-НИТРИДА НА ЧУЖЕРОДНОЙ ПОДЛОЖКЕ

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА III-НИТРИДА НА ЧУЖЕРОДНОЙ ПОДЛОЖКЕ

7
Количество страниц
Год издания
РОССИЯ
Место издания

Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, а именно в способах получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, AlN, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС).

Применение: при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов. Сущность изобретения: при получении эпитаксиального слоя полупроводника III-нитрида на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, состоящей из стадии образования буферного слоя и стадии эпитаксиального роста, с использованием потоков МОС и аммиака, осуществляют импульсный режим по потоку МОС на обеих стадиях, причем длительность импульса tn(с) на стадии образования буферного слоя определяется из соотношения tn= rcrn-2/3/v 1, на стадии эпитаксиального роста te(с) из соотношения te=h/v2, а длительность Δt(c) интервалов между импульсами удовлетворяет соотношениям Δ t>t1, Δt>te, где n - порядковый номер импульса (1,2,...); r cr - критический радиус зародыша на чужеродной подложке, v1 - скорость образования слоя на стадии образования буферного слоя, h - начальная высота неоднородности рельефа поверхности эпитаксиального слоя, v2 - скорость роста слоя на стадии эпитаксиального роста, Технический результат изобретения заключается в улучшении качества эпитаксиального слоя за счет снижения плотности дефектов и дислокаций.

Читать аннотацию полностью Скрыть аннотацию

О произведении

Язык
Русский
Библиотека
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Патентообладатель
Фонд поддержки науки и образования
МПК
H01L 21/20, C30B 25/02, H01L 21/36
Заявитель
Фонд поддержки науки и образования
Код вида документа
Патент на изобретение

Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА III-НИТРИДА НА ЧУЖЕРОДНОЙ ПОДЛОЖКЕ», заявителя Бессолов В.Н., Кукушкин С.А., Лукьянов А.В., Осипов А.В. , патентообладателя «Фонд поддержки науки и образования ». Содержит 7 ст. Язык: «Русский».

Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.

Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .