Патент «УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АЛМАЗОВ» (2007) — ХЕМЛИ Рассел Дж. (US), МАО Хо-кванг (US), ЯН Чих-шию (US), ВОХРА Йогеш К. (US) — читать онлайн, скачать бесплатно PDF | НЭБ [000224_000128_0002302484_20070710_C2

Изобретение относится к производству синтетических алмазов, которые могут быть использованы в качестве окон в лазерах высокой мощности или в качестве наковален в устройствах высокого давления. Устройство для формирования алмаза в камере для осаждения содержит теплоотводящий держатель для удерживания алмаза и для осуществления термического контакта с боковой поверхностью алмаза, прилежащей к грани ростовой поверхности алмаза, бесконтактное устройство измерения температуры, расположенное с возможностью измерения температуры алмаза от края до края ростовой поверхности алмаза, и основное устройство управления технологическим процессом для получения измерения температуры от бесконтактного устройства измерения температуры и регулирования температуры ростовой поверхности таким образом, чтобы все температурные градиенты от края до края ростовой поверхности составляли меньше 20°С.

Также приведена конструкция держателя образца для формирования алмаза. Способ формирования алмаза включает помещение алмаза в держатель так, чтобы осуществлялся термический контакт с боковой поверхностью алмаза, прилежащей к грани ростовой поверхности алмаза, измерение температуры ростовой поверхности алмаза, чтобы осуществить измерения температуры, регулирование температуры ростовой поверхности на основе измерений температуры и выращивание монокристаллического алмаза с помощью микроволнового плазменного химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности, при котором скорость роста алмаза больше 1 микрометра в час. Изобретение позволяет получать достаточно крупный монокристаллический алмаз высокого качества с высокой скоростью роста. 7 н. и 56 з.п. ф-лы, 7 ил, 1 табл.

Читать аннотацию полностью

Детальная информация

Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АЛМАЗОВ», заявителя ХЕМЛИ Рассел Дж. (US), МАО Хо-кванг (US), ЯН Чих-шию (US), ВОХРА Йогеш К. (US). Содержит 26 ст. Язык: «Русский».

Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.