СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНОГО ПРИБОРА
1. Способ изготовления туннельного прибора, заключающийся в формировании на поверхности атомарно гладкой твердотельной подложки первого, второго и управляющих электродов с последующим формированием мономолекулярной или мультимономолекулярной пленки, электрически изолированной от твердотельной атомарно гладкой подложки, отличающийся тем, что мономолекулярную или мультимономолекулярную пленку изготавливают в виде инертной диэлектрической молекулярной матрицы с фиксированно встроенными в нее активными молекулами и кластерами, являющимися центрами локализации туннелирующих электронов и формирующих одноэлектронные туннельные переходы, при этом на поверхности атомарно гладкой твердотельной подложки дополнительно формируют N-1 управляющих электродов.
2. Способ изготовления туннельного прибора по п.1, отличающийся тем, что инертную диэлектрическую молекулярную матрицу с встроенными в нее активными молекулами и кластерами формируют способом Ленгмюра-Блоджетт. 3. Способ изготовления туннельного прибора по п.1, отличающийся тем, что инертную диэлектрическую молекулярную матрицу с встроенными в нее активными молекулами и кластерами формируют способом химической адсорбции.
Описание документа
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНОГО ПРИБОРА», заявителя Губин С.П., Колесов В.В., Солдатов Е.С., Трифонов А.С., Ханин В.В., Хомутов Г.Б., Яковенко С.А. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.