СПОСОБ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
1. Способ многоэлементной ионной имплантации, заключающийся в облучении объекта ионными компанентами фазообразующих атомов, отличающийся тем, что при облучении формируют многоэлементную плазму многозарядных ионов в одном источнике, а из экстрагирующего пучка выделяют необходимые ионы с равными величинами Ai/Zi, где Аi - массы ионов, Zi - их заряды, с помощью магнитного сепаратора и направляют их на облучаемый объект.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что из экстрагированного пучка выделяют иоинные компоненты фазообразующих атомов с отношениями Ai/Zi, различающимися относительно друг друга на величину Δ, не превышающую нескольких процентов, с помощью магнитного сепаратора с относительным разрешением не более Δ и сканируют многоэлементным пучком по бомбардируемой поверхности объекта. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что ускоряют ионы с близким, но не равным отношением Ai/Zi, последовательно изменяющимся по амплитуде ускоряющим напряжением с заданной частотой и скважностью, а затем выделяют ионы с заданной величиной Ai/Zi с помощью магнитного сепаратора.