Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Нижний Новгород
Место издания
1993
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_000007155
Каталог
Автор
Васин А.С.
Заглавие
Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Нижний Новгород
Год издания
1993
Объем
18 с.
Ответственность
Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
ББК
В379.222,03, З884.1-060.16-1,0
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : : автореферат дис. .. кандидата физико-математических наук : 01.04.10» ББК:В379.222,03, З884.1-060.16-1,0, автора Васин А.С. Документ был издан в 1993 году. Содержит 18 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: 93-2673А
$b: RuMoRKP
$a: 93-2673А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0007242
$a: (RuMoRGB)DIS-0007242
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.222,03
$2: rubbk
$a: В379.222,03
$2: rubbk
084
##
$a: З884.1-060.16-1,0
$2: rubbk
$a: З884.1-060.16-1,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Васин, Александр Сергеевич
$a: Васин, Александр Сергеевич
245
##
$a: Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
$a: Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
260
##
$a: Нижний Новгород
$c: 1993
$a: Нижний Новгород
$c: 1993
300
##
$a: 18 с.
$a: 18 с.
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 007843292
$i: Диссертация
$w: 007843292
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 93-1/3429-8
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 93-1/3429-8
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 93-1/3430-1
$x: 82
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 93-1/3430-1
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000007000/rsl01000007155/rsl01000007155.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000007000/rsl01000007155/rsl01000007155.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
$a: dlopen