Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Новочеркасск, 1993
Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Новочеркасск, 1993
Библиографическое описание
Скопировать
Сысоев, Игорь Александрович. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Новочеркасский техн. ун-т. — Новочеркасск, 1993. — 14 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_000047245
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06
Место издания
Новочеркасск
Год издания
1993
Объем
14 с.
Ответственность
Новочеркасский техн. ун-т
ББК
З86-5-06,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01550nam a2200289 i 4500
001
000047245
003
RuMoRGB
005
20071026120000.0
008
940120s1993 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 93-6932А
$b: RuMoRKP
$a: 93-6932А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0047735
$a: (RuMoRGB)DIS-0047735
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: З86-5-06,0
$2: rubbk
$a: З86-5-06,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Сысоев, Игорь Александрович
$a: Сысоев, Игорь Александрович
245
##
$a: Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Новочеркасский техн. ун-т
$a: Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Новочеркасский техн. ун-т
260
##
$a: Новочеркасск
$c: 1993
$a: Новочеркасск
$c: 1993
300
##
$a: 14 с.
$a: 14 с.
650
#1
$a: Технология полупроводников и материалов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология полупроводников и материалов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 002183804
$i: Диссертация
$w: 002183804
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 93-3/637-4
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 93-3/637-4
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 93-3/638-2
$x: 82
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 93-3/638-2
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000047000/rsl01000047245/rsl01000047245.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000047000/rsl01000047245/rsl01000047245.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06 » , автор — Сысоев И.А.. Документ был опубликован в 1993 году. Место издания — Новочеркасск. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.