LDR
01121nam a2200229 i 4500
008
081128s1989 ru a||| a |00 u rus d
035
##
$a: (RuMoEDL)-2d004145
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
245
##
$a: Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
260
##
$a: Ленинград
$c: 1989
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000327000/rsl01000327690/rsl01000327690.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Нгуен В.Л.. Документ был опубликован в 1989 году. Место издания — Ленинград. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.