Версия для слепых
Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10
Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников
автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Ленинград, 1989

Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников
автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10

Ленинград, 1989

Библиографическое описание

Скопировать
Нгуен, Ван Лиен. Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. — Ленинград, 1989. — 29 с. : ил.

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_000327690
Автор(ы)
Заглавие
Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Ленинград
Год издания
1989
Объем
29 с.
Язык
Русский

Другие книги автора

Нгуен В.Л.
Санкт-Петербург, 2014
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Авторефераты диссертаций

Айляров М.А.
ул.Ватутина, 2026
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Гришина А.В.
Москва, 2026
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
01121nam a2200229 i 4500
001
000327690
003
RuMoRGB
005
20081128120000.0
008
081128s1989 ru a||| a |00 u rus d
035
##
$a: (RuMoEDL)-2d004145
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
100
1#
$a: Нгуен, Ван Лиен
245
##
$a: Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
260
##
$a: Ленинград
$c: 1989
300
##
$a: 29 с.
$b: ил
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01000000000/rsl01000327000/rsl01000327690/rsl01000327690.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Нгуен В.Л.. Документ был опубликован в 1989 году. Место издания — Ленинград. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Моделирование структуры примесной зоны и прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .