Версия для слепых
Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник : : диссертация ... доктора технических наук : 01.04.10
Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник : : диссертация ... доктора технических наук : 01.04.10

Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник : : диссертация ... доктора технических наук : 01.04.10

Новосибирск
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_000336699
Автор
Величко А.А.
Заглавие
Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник : : диссертация ... доктора технических наук : 01.04.10
Место издания
Новосибирск
Год издания
1999
Объем
372 с.
ББК
з844.152-06-642,0, з86-5-06-642,0
Язык
Русский

Другие диссертации автора

Посмотреть все произведения автора

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: д2039-8-02
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0433045
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: з844.152-06-642,0
$2: rubbk
084
##
$a: з86-5-06-642,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Величко, Александр Андреевич
245
##
$a: Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник :
$b: диссертация ... доктора технических наук : 01.04.10
260
##
$a: Новосибирск
$c: 1999
300
##
$a: 372 с.
$b: ил
504
##
$a: Библиогр.: с. 350-372
506
##
$a: Для служебного пользования.
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
787
11
$w: 000315617
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 71 02-0/71-X
$x: 81
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000315617
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .