Версия для слепых
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС
Москва : Техносфера2003

Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС

Москва : Техносфера2003
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ

В книге рассмотрены математические модели системы Si-SiO2, способы стабилизации структурно-примесного состава и электрофизических параметров. Предназначена специалистам по проектированию и производству микросхем, студентам, аспирантам технических вузов.

Библиографическое описание

Скопировать
Красников, Геннадий Яковлевич (1958-). Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев. — Москва : Техносфера, 2003. — 383 с. : ил. : 22 см..; ISBN 5-94836-008-3 (в пер.).

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_002098669
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС
Место издания
Москва
Издательство
Год издания
2003
Объем
383 с.
Ответственность
Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев
ISBN
5-94836-008-3 (в пер.)
ББК
З844.152-03,07, З843.322.4,07
Язык
Русский
Ключевые слова
диоксид кремния

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Книги

Лунин А.С.
Moscow : Fizmatkniga, 2025
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
2025
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Шарипов Р.А.
2025
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
02251cam a2200313 i 4500
001
002098669
005
20231102150813.0
008
030428s2003 ru a r 000 u rus d
017
##
$a: 03-23701
020
##
$a: 5-94836-008-3 (в пер.)
040
##
$a: RuMoRKP
041
##
$a: rus
084
##
$a: З844.152-03,07
084
##
$a: З843.322.4,07
100
1#
$a: Красников, Геннадий Яковлевич
$d: 1958-
245
##
$a: Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС
$c: Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев
260
##
$a: Москва
$b: Техносфера
$c: 2003
300
##
$a: 383 с.
$b: ил.
$c: 22 см.
504
##
$a: Библиогр. в конце гл.
520
##
$a: В книге рассмотрены математические модели системы Si-SiO2, способы стабилизации структурно-примесного состава и электрофизических параметров. Предназначена специалистам по проектированию и производству микросхем, студентам, аспирантам технических вузов.
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Интегральные микросхемы -- Интегральные схемы большие и сверхбольшие -- Материалы -- Пособие для специалистов
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы и изделия -- Кремний -- Пособие для специалистов
653
##
$a: диоксид кремния
700
1#
$a: Зайцев, Николай Алексеевич
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 03-6/346-4
$x: 90
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 03-6/345-6
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002098000/rsl01002098669/rsl01002098669.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС » , автор — Красников Г.Я.. Документ был опубликован в 2003 году. Место издания — Москва. Издательство — Техносфера. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС » в удобной системе просмотра документов.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .