Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Москва, 2004
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Москва, 2004
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Косарев, Артем Михайлович. Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06. — Москва, 2004. — 131 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_002627355
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.06
Место издания
Москва
Год издания
2004
Объем
131 с.
ББК
Л428.8,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01788nam a2200313 i 4500
001
002627355
003
RuMoRGB
005
20050316120000.0
008
040607s2004 ru |||| m |00 u rus d
017
##
$a: д19088-04
$b: RuMoRGB
$a: д19088-04
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0594183
$a: (RuMoRGB)DIS-0594183
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: Л428.8,0
$2: rubbk
$a: Л428.8,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Косарев, Артем Михайлович
$a: Косарев, Артем Михайлович
245
##
$a: Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
$a: Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
260
##
$a: Москва
$c: 2004
$a: Москва
$c: 2004
300
##
$a: 131 с.
$b: ил.
$a: 131 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с.122-131
$a: Библиогр.: с.122-131
650
#1
$a: Керамические изделия (керамика) -- Специальная керамика. Изделия из специальных керамических масс -- Кристаллокерамика. Оптическая керамика
$2: rubbk
$a: Керамические изделия (керамика) -- Специальная керамика. Изделия из специальных керамических масс -- Кристаллокерамика. Оптическая керамика
$2: rubbk
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 002668579
$i: Автореферат
$w: 002668579
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: MZH
$j: 61 04-5/2891
$x: 82
$a: РГБ
$b: OD
$c: MZH
$j: 61 04-5/2891
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002627000/rsl01002627355/rsl01002627355.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002627000/rsl01002627355/rsl01002627355.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 002668579
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 002668579
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.06 » , автор — Косарев А.М.. Документ был опубликован в 2004 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.06 » в удобной системе просмотра документов.