Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором
Москва : ИПЭФ РАН, 2004
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором
Москва : ИПЭФ РАН, 2004
В пособии предложен новый схемный подход создания генераторов наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором.
Библиографическое описание
Скопировать
Иванов, Е. В.. Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором / Е.В. Иванов, С.И. Мошкунов, В.Ю. Хомич ; Рос. акад. наук, Центр науч. приборостроения Ин-та проблем электрофизики. — Препринт — Москва : ИПЭФ РАН, 2004. — 49 с. : ил., табл. : 20 см.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_002810827
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором
Место издания
Москва
Издательство
Год издания
2004
Издание
Препринт
Объем
49 с.
Ответственность
Е.В. Иванов, С.И. Мошкунов, В.Ю. Хомич ; Рос. акад. наук, Центр науч. приборостроения Ин-та проблем электрофизики
ББК
З847.8,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01607cam a2200265 i 4500
001
002810827
005
20060227111740.0
008
051101s2004 ru r 000 u rus
017
##
$a: 05-70898
$a: 05-70898
020
##
$z: (В обл.)
$z: (В обл.)
040
##
$a: RuMoRKP
$b: rus
$d: RuMoRGB
$e: rcr
$a: RuMoRKP
$b: rus
$d: RuMoRGB
$e: rcr
041
##
$a: rus
$a: rus
084
##
$a: З847.8,0
$a: З847.8,0
100
1#
$a: Иванов, Е. В.
$a: Иванов, Е. В.
245
##
$a: Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором
$c: Е.В. Иванов, С.И. Мошкунов, В.Ю. Хомич ; Рос. акад. наук, Центр науч. приборостроения Ин-та проблем электрофизики
$a: Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором
$c: Е.В. Иванов, С.И. Мошкунов, В.Ю. Хомич ; Рос. акад. наук, Центр науч. приборостроения Ин-та проблем электрофизики
250
##
$a: Препринт
$a: Препринт
260
##
$a: Москва
$b: ИПЭФ РАН
$c: 2004
$f: РИИС ФИАН
$a: Москва
$b: ИПЭФ РАН
$c: 2004
$f: РИИС ФИАН
300
##
$a: 49 с.
$b: ил., табл.
$c: 20 см
$a: 49 с.
$b: ил., табл.
$c: 20 см
504
##
$a: Библиогр.: с. 48-49
$a: Библиогр.: с. 48-49
520
##
$a: В пособии предложен новый схемный подход создания генераторов наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором.
$a: В пособии предложен новый схемный подход создания генераторов наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором.
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Импульсные устройства -- Наносекундные импульсные устройства
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Импульсные устройства -- Наносекундные импульсные устройства
700
1#
$a: Мошкунов, Сергей Игоревич
$a: Мошкунов, Сергей Игоревич
700
1#
$a: Хомич, В.Ю.
$a: Хомич, В.Ю.
700
1#
$a: Хомич В. Ю.
$a: Хомич В. Ю.
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 3 05-38/1218
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$j: 3 05-38/1218
$x: 90
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором » , автор — Иванов Е. В.. Документ был опубликован в 2004 году. Место издания — Москва. Издательство — ИПЭФ РАН. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.