Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : автореферат дис. кандидата химических наук : 02.00.21 (2005) — Фомин А.В. — читать диссертацию (автореферат) онлайн, скачать бесплатно PDF

Библиографическое описание

Скопировать

Фомин, Александр Владимирович. Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : автореферат дис. ... кандидата химических наук : 02.00.21 / С.-Петерб. гос. ун-т. — Санкт-Петербург, 2005. — 13 с..

Детальная информация

Код документа в НЭБ

000199_000009_002881122

Каталог

Авторефераты диссертаций

Автор(ы)

Фомин А.В.

Заглавие

Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : автореферат дис. кандидата химических наук : 02.00.21

Место издания

Санкт-Петербург

Год издания

2005

Объем

13 с.

Ответственность

С.-Петерб. гос. ун-т

ББК

З854.229-037,0, З843.390.8-1,0

Язык

Русский

Еще

Ключевые слова

многослойные гетероструктуры

Библиотека

Российская государственная библиотека (РГБ)

Еще

MARC-запись (MARC21)

LDR

02309nam a2200349 i 4500

001

002881122

003

RuMoRGB

005

20060522120000.0

008

050325s2005 ru |||| a |00 u rus d

017

##
$a: 05-2405А
$b: RuMoRKP

035

##
$a: (RuMoRGB)DIS-0627933

040

##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB

041

##
$a: rus

072

#1
$a: 02.00.21
$2: nsnr

084

##
$a: З854.229-037,0
$2: rubbk

084

##
$a: З843.390.8-1,0
$2: rubbk

100

1#
$a: Фомин, Александр Владимирович

245

##
$a: Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе :
$b: автореферат дис. ... кандидата химических наук : 02.00.21
$c: С.-Петерб. гос. ун-т

260

##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2005

300

##
$a: 13 с.

650

#1
$a: Фотоэлектрические приборы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Фотоэлементы с запирающим слоем. Светодиоды -- Фотоэлементы из прочих материалов -- Материалы -- Материалы с особыми свойствами
$2: rubbk

650

#1
$a: Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы -- Прочие полупроводниковые материалы -- Получение -- Исследования
$2: rubbk

650

#1
$a: Химия твердого тела
$2: nsnr

653

##
$a: многослойные гетероструктуры

720

1#
$a: Санкт-Петербургский государственный университет

787

11
$w: 002745015
$i: Диссертация

852

1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 05-2/386-8
$x: 90

852

1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 05-2/387-6
$x: 82

856

11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002881000/rsl01002881122/rsl01002881122.pdf
$y: Читать

Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : автореферат дис. кандидата химических наук : 02.00.21 » , автор — Фомин А.В.. Документ был опубликован в 2005 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : автореферат дис. кандидата химических наук : 02.00.21 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.

Библиографическое описание

Детальная информация

Тематика

Другие книги автора

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Авторефераты диссертаций

MARC-запись (MARC21)