Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники
автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
Москва, 2006
Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники
автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
Москва, 2006
Библиографическое описание
Скопировать
Громов, Вячеслав Сергеевич. Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники : автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06 / Рос. гос. технол. ун-т им. К.Э. Циолковского (МАТИ). — Москва, 2006. — 48 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_003266769
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники : автореферат дис. доктора технических наук : 05.27.06
Место издания
Москва
Год издания
2006
Объем
48 с.
Ответственность
Рос. гос. технол. ун-т им. К.Э. Циолковского (МАТИ)
ББК
З844.15-028.3,0, З322-524.2-02,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02102nam a2200325 i 4500
001
003266769
003
RuMoRGB
005
20090518120650.0
008
060518s2006 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 06-9346А
$b: RuMoRKP
$a: 06-9346А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0701503
$a: (RuMoRGB)DIS-0701503
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: З844.15-028.3,0
$2: rubbk
$a: З844.15-028.3,0
$2: rubbk
084
##
$a: З322-524.2-02,0
$2: rubbk
$a: З322-524.2-02,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Громов, Вячеслав Сергеевич
$a: Громов, Вячеслав Сергеевич
245
##
$a: Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
$c: Рос. гос. технол. ун-т им. К.Э. Циолковского (МАТИ)
$a: Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
$c: Рос. гос. технол. ун-т им. К.Э. Циолковского (МАТИ)
260
##
$a: Москва
$c: 2006
$a: Москва
$c: 2006
300
##
$a: 48 с.
$a: 48 с.
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Интегральные схемы -- Тепловой режим
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Интегральные схемы -- Тепловой режим
$2: rubbk
650
#1
$a: Энергетика -- Теплоэнергетика. Теплотехника -- Теплотехнические измерения -- Измерение температуры -- Полупроводниковые термометры -- Проектирование
$2: rubbk
$a: Энергетика -- Теплоэнергетика. Теплотехника -- Теплотехнические измерения -- Измерение температуры -- Полупроводниковые термометры -- Проектирование
$2: rubbk
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 003313824
$i: Диссертация
$w: 003313824
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 06-5/1286-3
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 06-5/1286-3
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 06-5/1287-1
$x: 82
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 06-5/1287-1
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003266000/rsl01003266769/rsl01003266769.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003266000/rsl01003266769/rsl01003266769.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники : автореферат дис. доктора технических наук : 05.27.06 » , автор — Громов В.С.. Документ был опубликован в 2006 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники : автореферат дис. доктора технических наук : 05.27.06 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.